- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت BSS308PEH6327XTSA1
BSS308PEH6327XTSA1 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|
| حجم فایل | 70.936 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت BSS308PEH6327XTSA1 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies BSS308PEH6327XTSA1
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 500mW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 500pF@15V
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@11uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@2A,10V
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Infineon Technologies